Рисунок 1. а) Схема, поясняющая процессы, протекающие при модифицировании поверхности подложки диоксида кремния. b-f) Различные ДНК структуры, используемые для получения наноструктур, "классическим" растворным методом (g-k) и SAG-методом (l-p)
Рисунок 2. Зависимость площади покрытия (слева) и количества мономеров на поверхности (справа) от концентрации DX-блоков
Рисунок 3. а) Схема получения наноструктур требуемой топологии с применением фотолитографии. b-е) АСМ-микрофотографии полосок монослоев, построенных из DX-блоков, шириной 2,3,5 мкм и квадрат со стороной 5 мкм, соответственно. f-i) АСМ-микрофотографии для аналогичных структур, но построенных из DXB-S блоков (DX, связанный с стрептавидином)
"Нанометр" уже неоднократно знакомил своих читателей с последними достижениями в получении различных наноразмерных структур с помощью ДНК-оригами. Несмотря на определенные успехи по контролю за формой и размерами образующихся структур, исследователям до сих пор с трудом удается контролировать точное количество наноструктур, "самособирающихся" на поверхности подложки, в частности на столь полезном в современной микроэлектронике диоксиде кремния. {Прим. ред.: уже не столь полезном...}
Коллектив исследователей из южной части Корейского полуострова попытался решить эту проблему. Предложенный ими SAG-метод (silica-assisted growth) позволил убить сразу двух зайцев. Во-первых, прямой отжиг на подложке позволяет довольно точно контролировать площадь покрытия и локализацию наноструктур, а во-вторых, благодаря электростатическому взаимодействию между модифицированной поверхностью SiO2 и молекулами ДНК перед авторами статьи открылась возможность получения новых наноструктур.
Ключевым моментом в предложенной методе является депротонирование силанольных групп на поверхности диоксида кремния и нейтрализация образовавшегося отрицательного заряда ионами Mg2+. Последующее погружение модифицированной подложки в раствор с ДНК, нагревание при 950С и последующее охлаждение в течение суток приводит к образованию хорошо упорядоченных наноструктур (рис.1). Варьируя концентрацию DX-блоков (две двойные спирали с двумя пересечениями) удается с высокой точностью контролировать площадь покрытия подложки (рис.2). Структурируя подложку с применением многочисленных литографических методов можно без особого труда получить упорядоченные наноструктуры необходимой топологии (рис.3).
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
