Тематика диссертации связана с изучением изменений оптических свойств наноструктурированных полупроводниковых материалов, обусловленных локализацией колебательных и электронных возбуждений, что имеет важное фундаментальное и прикладное значение.
Автор экспериментально обнаружил существование нанокристаллической фазы, при фазовом переходе из кристаллического в аморфное состояние Si и GaAs при ионной имплантации. Установлены закономерности изменения спектров комбинационного рассеяния света обусловленные конфайментом фононов нанокристаллической фазы. На основе полученных результатов разработаны бесконтактные методы определения параметров структуры имплантированных слоев Si и GaAs.
Следует отметить экспериментальную реализацию метода модуляционной спектроскопии – фотоотражения (ФО). Методом ФО были получены новые экспериментальные данные о спектре электронно-дырочных состояний в одиночных квантовых ямах GaAs/AlGaAs, двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs с туннельно-прозрачными барьерами, квантовых ямах GaAs/AlGaAs с модулированным легированием барьеров и дельта-легированных наноструктурах на основе GaAs.
 |
|
