Электронная литография – один из перспективных, но пока ещё достаточно сложный и дорогостоящий для коммерческого применения метод создания и промышленного производства самых различных устройств и компонентов устройств, позволяющий достигнуть разрешения в 1 нм. Из-за этих особенностей электронной литографии, многие группы учёных по всему миру разрабатывают аналоги данного метода.
Так американские учёные в недавно опубликованной работе в журнале NanoLetters предложили использовать в качестве источника электронов тонкие плёнки излучателей β-электронов, как, например, 63Ni и Be3H2, придумав методу яркое название SPEL (self-powered electron lithography). Оказалось, что в этом случае можно обеспечить разрешение вплоть до 35 нм, что сравнимо с теми техпроцессами, которые разрабатываются и используются на практике ведущими компаниями (Intel, AMD, IBM и т.д.) для производства новых поколений процессоров и других полупроводниковых устройств. Схема установки, приведённая на рисунке 1, чрезвычайно проста, легко масштабируема и не требует дополнительных модулей (вакуумной системы, высоковольтного источника питания и т.п.). Тонкая плёнка нитрида кремния позволяет ослабить до приемлемых значений энергии поток β-электронов, а вольфрамовая маска эффективно поглощает электроны в тех местах, где это требуется. Полученные результаты говорят сами за себя (Рисунок 2), разрешение в 35 нм не такая уж и большая проблема. Стоит отметить также, что данная система позволяет сразу засвечивать большие площади подложек с фоторезистом, значительно ускоряя данную процедуру (Рисунок 3). Так как это не первая публикация данной научной группы по методу SPEL, то они решили продемонстрировать всю мощь разработки и создали массив сантиметровых размеров кремниевых наностержней (диаметр 50 нм и радиус кривизны вершины 5 нм), который отражает менее 1% падающего на него излучения (Рисунок 4).
Безусловно данная разработка найдёт своё достойное применение в различных областях нанотехнологий, ведь с такими впечатляющими характеристиками её можно использовать при создании наноустройств для компьютерной техники, в производстве высокоэффективных солнечных батарей, и даже при создании кантилеверов для атомно-силовой микроскопии.
