Одноэлектронная ловушка - наноструктура на основе однородной цепочки сверхмалых туннельных переходов, характеризующаяся способностью удержания на острове хранения избыточного заряда в несколько электронов. Изменение состояния ловушки регистрировались одноэлектронным транзистором. При рабочей температуре Т=35мК время хранения зарядового состояния составило свыше 8-ми часов. JETP, 84 (1), 190-196 (1997). ЖЭТФ, 111 (1), 344-357 (1997).
Фотография одноэлектронной ловушки
1996 г. лаборатория криоэлектроники МГУ
Цепочка туннельных переходов и остров хранения формируют управляемый потенциальный барьер, удерживающий добавленный на остров хранения электрон и препятствующий входу следующего электрона. Управление высотой барьера осуществляется изменением потенциала острова хранения с помощью емкостного затвора. При плавном изменении напряжения на затворе электроны входят на остров хранения строго один за другим. После входа единичного электрона на остров его потенциал изменяется, восстанавливая барьер для входа следующего электрона. При изменении напряжения в обратную сторону, происходит управляемое выталкивание добавленных электронов с острова также строго по одному. Уменьшая потенциальный барьер ловушки, возможно помещать на остров хранения некоторое количество добавочных электронов и, восстановив барьер до необходимой высоты, хранить их там. Таким образом логическая "1" в такой ячейке памяти будет кодироваться присутствием одного или нескольких добавочных электронов на острове хранения, а "0" - их отсутствием.
Технология изготовления основана на теневом методе, суть которого заключается в напылении материалов структур на подложку в едином вакуумном цикле (“in situ”) через маску, “подвешенную” над подложкой на поддерживающем ее слое резиста. При этом чередуется напыление материалов под различными углами к поверхности образца и окисление напыленных слоев. Туннельные контакты образуются в местах наложения слоев друг на друга. В качестве маски используется так называемая трехслойная “жесткая” маска, где собственно маскирующим слоем является тонкая пленка Ge. Формирование изображения производится путем проведения электронно-лучевой литографии по слою электронного резиста ПММА, предварительно нанесенному на слой Ge, с последующим переносом изображения в низлежащие слои методом анизотропного реактивного ионного травления.
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
