Одноэлектронный транзистор - электрометр.
Оригинальная стековая геометрия одноэлектронного транзистора позволяет практически исключить влияние расположенных в подложке источников зарядового шума (background charges) и более чем на порядок улучшить чувствительность транзистора как электрометра. В такой структуре остров транзистора располагается на нижнем электроде, который экранирует остров от электростатического влияния зарядов подложки. Получено рекордно низкое значение уровня собственного зарядового шума одноэлектронного транзистора на низких частотах (10Гц), где влияние флуктуаций фонового заряда наиболее сильно:
< 8×10-6 в единичной полосе частот (~30h в энергетических единицах)
До настоящего времени достигнутый результат никем в мире не превзойден.
J. Low Temp. Phys.,118(5/6), 287-296, (2000).
J. Appl. Phys.,84(6), 3212-3215(1998)
 1998 г. лаборатория криоэлектроники МГУ |
 |
 |
 |
интересно и познавательно
