Поры полученные методом электрохимического травления сильнолегированной подложки InP n-типа. На фотографии изображен скол, на котором хорошо видна сотовая структура пор, направление, структура "трубки". Глубина травления - 30 микрон. Колебание фронта травления вызвано неоднородностью легирования подложки (полученной методом Чохральского). Изображение получено на JSM-7001F
А какова химия травления? Особенно в контексте того, что пористая структура остается именно InP, а не является продуктом окисления или других химических трансформаций.
выявили только остатки от травителя в порах, которые спокойно уходят при
отжиге в вакууме или инертных газах (250-300 градусов Цельсия).
Если интересно могу выслать статейку на счет этого травления и возможного
теоретического описания.
Конкретно в этом случае был использован HCl с некоторыми добавками
Вышлите, пожалуйста.
И, если можно, приведите реакцию травления.
которое сейчас проводится - поэтому представить не могу. Общий вид
представлен в высланных статьях.
Очень интересно было взглянуть, там есть очень разумные ответы про окисление.
Успехов в дальнейшей работе!
Заранее благодарен.