Рис.1. (a) Схематическое представление полевого транзистора на основе одностенной углеродной нанотрубки: D – сток, S – исток. Номинальная толщина слоёв диоксида гафния 20 нм. (b) AFM-изображение созданного полевого транзистора (VGS использовался для измерений).
Рис.2. Петля гистерезиса полевого транзистора, использованного в исследованиях (соотношение токов ON и OFF более 100). На вставке представлена вольтамперограмма устройства в состоянии OFF.
Рис.3. Функционирование элемента памяти на основе полученного полевого транзистора. Процесс записи и стирания информации проводился импульсами длительностью 100 нс. На вставке представлен отдельный импульс.
Рис.4. Длительность работы представленного элемента памяти (10 мс импульсы).
Рис.5. Схематическое представление энергетической диаграммы Si/SiO2/HfO2/CNT/HfO2. (a) Состояние с плоскими зонами. Запрещённая зона УНТ рассчитана для диаметра 1.4 нм. (b и c) Изменение зонной структуры при записи с положительным напряжением на затворе. Туннелирование через УНТ и захват электронов на дефектах диоксида гафния. (d) Зонная структура при стирании информации путём приложения отрицательного напряжения.
Высокоскоростная память на основе УНТ и high-k материалов
В последнее время многие научные группы занимаются созданием элементной базы для наноэлектроники, в частности полевых транзисторов. Ранее писалось о достижениях в области быстродействия полевых транзисторов на основе углеродных материалов: УНТ (1, 2), графена (1, 2) и фуллеренов. В частности, наилучшие результаты, полученные с УНТ – 50-60 ГГц, а теоретическая зависимость от длины затвора ~130 ГГц/L(мкм), где L – длина затвора. Создание же быстрой flash памяти может значительно увеличить быстродействие компьютеров. До недавнего времени была исследована работа ячеек памяти на основе УНТ лишь со временем записи/стирания информации ~100 микросекунд. Финским учёным удалось ещё больше уменьшить время срабатывания полевых транзисторов, применяемых для создания ячеек памяти, вплоть до 100 нс, и это они, как заверяют, еще не предел.
Авторы работы, недавно опубликованной в NanoLetters, создали полевой транзистор на основе одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) и "high-k" материале диоксиде гафния, а также исследовали быстродействие и продолжительность работы ячейки памяти на его основе. Схема построения такого полевого транзистора и его AFM-изображение представлены на рисунке 1. На рисунках 2 и 3 представлены данные, свидетельствующие о том, что полученный полевой транзистор вполне пригоден для работы в качестве запоминающего устройства. На рисунке 4 приведён график зависимости тока (IDS) от количества циклов перезаписи: созданное устройство выдерживает около 18000 таких циклов, что с точки зрения уже существующих flash накопителей не так уж и много, но работа по улучшению микроструктуры high-k материала может решить данную проблему. При этом время жизни «записанной» информации составляет около 104секунд. Учёные также предложили модель, согласно которой происходит запись и стирание информации с данного полевого транзистора (рис.5).
Финские исследователи надеются, что продолжение работы по данной тематике позволит в самое ближайшее время создать такие запоминающие устройства, которые по своим характеристикам (в частности, по долговечности) обойдут современные промышленные аналоги.
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
