Исследователи из США разработали методику, позволяющую получать графен в больших количествах. Листы графена формируются в газовой фазе без участия каких-либо подложек.
Для получения графена ученые применили метод плазменного осаждения из паровой фазы (PECVD). Для этого в аргоновую плазму впрыскивались капельки этанола. В таких условиях за чрезвычайно малое время этанол разлагался, образуя твердый углеродный материал, который отлично диспергировался в метаноле при помощи ультразвуковой обработки.
При ближайшем рассмотрении оказалось, что суспензия образована листами графена – индивидуальными слоями графита. Метод позволяет получать материал, состоящий в основном из однослойных и двуслойных листов графена. Расстояние между слоями составило 0.335 нм, что как раз совпадает с таковым для графита. Рамановская спектроскопия и электронная дифракция показали, что полученный графен отличается очень высоким качеством. Таким образом, предложенный метод может сыграть важную роль в становлении графеновой наноэлектроники.
Работа «Substrate-Free Gas-Phase Synthesis of Graphene Sheets» опубликована в журнале Nano Letters.
Для получения графена ученые применили метод плазменного осаждения из паровой фазы (PECVD). Для этого в аргоновую плазму впрыскивались капельки этанола. В таких условиях за чрезвычайно малое время этанол разлагался, образуя твердый углеродный материал, который отлично диспергировался в метаноле при помощи ультразвуковой обработки.
При ближайшем рассмотрении оказалось, что суспензия образована листами графена – индивидуальными слоями графита. Метод позволяет получать материал, состоящий в основном из однослойных и двуслойных листов графена. Расстояние между слоями составило 0.335 нм, что как раз совпадает с таковым для графита. Рамановская спектроскопия и электронная дифракция показали, что полученный графен отличается очень высоким качеством. Таким образом, предложенный метод может сыграть важную роль в становлении графеновой наноэлектроники.
Работа «Substrate-Free Gas-Phase Synthesis of Graphene Sheets» опубликована в журнале Nano Letters.
И отношение к точке/запятой в цифре не покажется вам таким уж пустяком...
)
