С графеном связано множество надежд о будущем электроники. Однако существующие методы его получения обладают значительными недостатками. В частности, расщепление графита на слои выглядит трудно масштабируемым. Альтернативой является эпитаксиальный рост графена, однако в этом случае трудно добиться получения достаточно крупных листов, обладающих равномерной толщиной. Кроме того, сильные взаимодействия с подложкой могут искажать свойства графена.
Исследователи из Brookhaven National Laboratory (США) показали, что при эпитаксиальном росте графена на поверхности Ru(0001) формируются макроскопические графеновые области. При этом рост протекает послойно, и, хотя первый слой сильно связан с подложкой, второй практически с ней не взаимодействует и сохраняет все уникальные свойства графена.
Синтез основан на том, что растворимость углерода в рутении сильно зависит от температуры. При 1150 °С рутений насыщается углеродом, а при снижении температуры до 825 °С углерод выходит на поверхность, в результате чего формируются островки графена размером более 100 мкм. Островки разрастаются и объединяются, после чего начинается рост второго слоя.
Расстояние между первым слоем графена и рутением составило около 1.45 Å, а между слоями графена близко к таковому для графита (3.34 Å). Были проведены измерения электрического сопротивления в слоях графена и между ними. Оказалось, что сопротивление между слоями в 1000 раз больше, т.е. электронное взаимодействие между слоями слабо.
Работа «Epitaxial graphene on ruthenium» опубликована в журнале Nature Materials.
Исследователи из Brookhaven National Laboratory (США) показали, что при эпитаксиальном росте графена на поверхности Ru(0001) формируются макроскопические графеновые области. При этом рост протекает послойно, и, хотя первый слой сильно связан с подложкой, второй практически с ней не взаимодействует и сохраняет все уникальные свойства графена.
Синтез основан на том, что растворимость углерода в рутении сильно зависит от температуры. При 1150 °С рутений насыщается углеродом, а при снижении температуры до 825 °С углерод выходит на поверхность, в результате чего формируются островки графена размером более 100 мкм. Островки разрастаются и объединяются, после чего начинается рост второго слоя.
Расстояние между первым слоем графена и рутением составило около 1.45 Å, а между слоями графена близко к таковому для графита (3.34 Å). Были проведены измерения электрического сопротивления в слоях графена и между ними. Оказалось, что сопротивление между слоями в 1000 раз больше, т.е. электронное взаимодействие между слоями слабо.
Работа «Epitaxial graphene on ruthenium» опубликована в журнале Nature Materials.
