Полевой транзистор из многостенной УНТ и его ВАХ. Толщина трубки ~40 нм, получена методом PECVP. Вах снят при комнатной температуре при различных приложенных потенциалах на затворе. Для получения чипа на структуру SiO2/Si с контактными полщадками "высаживались" нанотрубки из спиртовой суспензии. Затем при помощи ионностимулированного осаждения платины на установке Strata FIB 201 создавались контакты.
 |
 |
 |
Средний балл: 9.6 (голосов 14)
Комментарии
Малиновская Ольга Сергеевна,
09 марта 2008 21:25
Интересная ВАХ - видимо после многократных измерений в полупроводниковой нанотрубке открылась почти идеальная проводимость, замучили бедную. А есть какие-нибудь статьи с объяснением этих картинок?
Волыхов Андрей Александрович,
10 марта 2008 09:39
Очень интересно!
Глухов Алексей Петрович,
15 апреля 2008 07:12
Подписали бы на картинках где там сток, где затвор. Не все же в теме) и к графику комментарий не помешал бы.
Шабанов Михаил Валерьевич,
10 ноября 2009 12:11
Странно, не читав описания, и посмотрев на рисунок я нашёл его структуру похожей на транзисторную. Похоже, что расту, как инженер. 
p. S. Автору фотографии спасибо за неё.
p. S. Автору фотографии спасибо за неё.
Денисюк Игорь Юрьевич,
27 января 2010 11:49
Это выдрано как кусок без объяснений из множества исследований в этом направлении. Сейчас получены вполне неплохие полевые транзисторы с нормальными ВАХ, причем сейчас они позиционируются как наиболее высокочастотные с полосой до 3 - 10 ТГц, т.е. до оптического диапазона. Причина - в обычной кремниевой технологии минимальный размер ограничес расстоянием между атомами примеси в канале, а в нанотрубке этого ограничения нет. Если у кого-то есть конкретный интерес - могу прислать статьи (denisiuk@mail.ifmo.ru).
Зайончковский Вячеслав Станиславович,
16 января 2011 23:08
Конечно, фотографии транзистора от 15_02_2008 впечатляют,javascript:insertsmile('
',%20'editor');
а вот ВАХ - нет. Это Передаточная характеристика или Выходная? При обратном смещении на затворе
транзистор превращается в резистор?javascript:insertsmile('
',%20'editor');
У простого МОП транзистора есть электроды к истоку, стоку, затвору и подложке. А у нанотрубчатого как?
',%20'editor');а вот ВАХ - нет. Это Передаточная характеристика или Выходная? При обратном смещении на затворе
транзистор превращается в резистор?javascript:insertsmile('
',%20'editor');У простого МОП транзистора есть электроды к истоку, стоку, затвору и подложке. А у нанотрубчатого как?
Башкатова Алена Сергеевна,
23 апреля 2014 12:12
Интересно
Палии Наталия Алексеевна,
03 августа 2015 10:06
Рис 1 был использован в статье журнала "Наука и жизнь"
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
