Кристаллик Ge в матрице 4H-SiC. Образец получен в университете г.Йена путем ионной имплантации и последующего отжига. Изображение получено на микроскопе JEM-3010 в зоне [2 -1 -1 0] матрицы. Особенности контраста кристаллика позволяют говорить о том, что он имеет гексагональную упаковку и ориентирован направлением [0001] вдоль пучка.
Исследование этой системы методом спектроскопии потерь энергии электронов (EELS) в области малых потерь (0-5эВ) показало, что ширина запрещенной зоны квантовой точки изменяется, подстраиваясь под ширину зоны матрицы (quantum confinement).
 |
Средний балл: 9.8 (голосов 16)
Комментарии
Осьмушкин Дмитрий Юрьевич,
30 января 2009 21:55
Скажите пожалуйста, а имплантация происходила через маску или это такой хорошо сколлимированный ионный пучок? И ещё... может быть вас интересовало. Закон изменения ширины запрещённой зоны от точки к матрице линейный или какой-то иной?
Палии Наталия Алексеевна,
11 мая 2013 21:14
красота, 
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
