Разработка металлических "микроперемычек" является важной частью производства микросхем. Исследователи Иллинойского Университета разработали простой электрохимический техпроцесс для создания таких суперминиатюрных перемычек и других наноструктур.
Новый технологический процесс получил название S4. В нем используется суперионный материал, вытравливание металлической пленки требуемой структуры обеспечивается электрохимической реакцией (в суперионных материалах ионы имеют повышенную подвижность).
Как известно, традиционно вытравливание нужного "узора" происходит в несколько шагов. Вот упрощенное описание одного из вариантов (фотолитография). На кремниевом кристалле с тщательно отшлифованной поверхностью создается тонкий слой диоксида кремния. Далее на него наносится слой так называемого фоторезиста. На фоторезист воздействуют ультрафиолетовыми лучами через так называемый шаблон, который и определяет будущий рисунок. На необлученных участках кислотой вытравливается нужный "узор".
S4 позволяет упростить создание слоя перемычек. Попробуем описать вкратце этот процесс. Нужный "узор" определяется сфокусированным пучком ионов, который направляется на суперионный материал. Далее этот материал помещается на подложку, к которой подводится напряжение. Это вызывает электрохимическую реакцию, генерирующую ионы металла, которые попадают в суперионный слой. После окончания реакции образовывается требуемая структура из перемычек.
Главными достоинствами процесса S4 называются простота и более рентабельная стоимость производства. Интересно, что в ходе экспериментов исследователи без проблем создавали 50-нм структуры. Как отметил один из исследователей Кенг Сю (Keng Hsu), разрешительная способность новой технологии будет ограничиваться только механическими свойствами используемого материала.
Александр Будик