Инженеры Массачусетского Технологического Института (МТИ) продемонстрировали технологию, которая произведёт революцию в микроэлектронике, начавшейся с i-pod'ов, лэптопов и др. Работа была представлена на Международной конференции <Электронные устройства>. Если в ближайшее время не будет изобретено нечто радикальное, революция в микроэлектронике, которой мы многим обязаны, может приостановиться, - заявили исследователи. - По оценкам специалистов в течение следующих 10-15 лет мы достигнем предела производительности кремниевых транзисторов, которые честно трудятся на нас в телефонах, ноутбуках, i-pod'ах, машинах и т.д.>. Поэтому в настоящее время ученые всего мира работают над созданием новых полупроводниковых материалов, которые повысят производительность транзисторов и позволят уменьшить их размеры.
Одним из таких материалов стал исследуемый в МТИ III-V композит для полупроводников, содержащий In0,7Ga0,3As - материал, в котором электроны перемещаются во много раз быстрее, чем в кремнии. В результате, есть возможность создавать очень маленькие транзисторы, быстро обрабатывающие информацию. Исследователи из МТИ доказали, что транзисторы InGaAs проводят ток в 2.5 раза быстрее современных кремниевых. Каждый In0,7Ga0,3As транзистор 60 нм в длину, тогда как минимальные размеры кремниевых транзисторов - 65 нм.
Новые транзисторы потребляют всего 0,5 В.
Технология производства In0,7Ga0,3As транзисторов пока находится в зачаточном состоянии. Так как InGaAs более хрупкий материал, чем кремний, сложно производить транзисторы в больших количествах. Предполагается начать пилотный выпуск через пару лет, а промышленной производство в течение следующего десятилетия.
По оценкам специалистов, новая технология значительно превосходит кремниевые транзисторы и позволяет продолжить микроэлектронную революцию. Данную разработку спонсируют Intel и Корпорация Исследования Микроэлектронных устройств. Над созданием новых транзисторов работают три лаборатории МТИ: Лаборатория микросистемных технологий, Лаборатория сканирующей электронно-лучевой литографии и Лаборатория наноструктур. Одной из причин высокой производительности новых транзисторов является высокое качество полупроводникового материала, производимого в Сингапуре.
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
